- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Xəbərlər
Çip İstehsalında SiGe: Peşəkar Xəbər Hesabatı
Müasir yarımkeçirici texnologiya sahəsində yüksək performans və aşağı enerji istehlakı tələblərini ödəmək üçün SiGe (Silicon Germanium) unikal fiziki və elektrik xüsusiyyətlərinə görə yarımkeçirici çip istehsalında seçilmiş kompozit material kimi ortaya çıxdı.
Daha çox oxu
Yarımkeçiricidəki vahid: Angstrom
Uzunluq vahidi kimi Angstrom (Å) inteqral sxem istehsalında hər yerdə mövcuddur. Materialın qalınlığına dəqiq nəzarətdən tutmuş cihazın ölçüsünün miniatürləşdirilməsinə və optimallaşdırılmasına qədər, Angstrom şkalasının başa düşülməsi və tətbiqi yarımkeçirici texnologiyanın davamlı inkişafını təmin......
Daha çox oxu
Qrafitləşdirmə və Karbonlaşma arasındakı fərq nədir
Nəticə olaraq, həm qrafitləşmə, həm də karbonlaşma, karbonu ya reaktiv, ya da məhsul kimi əhatə edən sənaye prosesləridir. Karbonlaşma üzvi maddələrin karbona çevrilməsi prosesinə aiddir, qrafitləşmə isə karbonun qrafitə çevrilməsini əhatə edir. Buna görə də, karbonlaşma kimyəvi dəyişiklik kimi təsn......
Daha çox oxu
