Silikon karbid (SiC), almaz və kub bor nitridi kimi digər sərt materiallara bənzər yüksək bağ enerjisinə malik bir materialdır. Bununla belə, SiC-nin yüksək əlaqə enerjisi ənənəvi ərimə üsulları ilə birbaşa külçələrə kristallaşmağı çətinləşdirir. Buna görə də, silisium karbid kristallarının yetişdir......
Daha çox oxuSilikon karbid sənayesi substratın yaradılması, epitaksial böyümə, cihaz dizaynı, cihazın istehsalı, qablaşdırılması və sınaqdan keçirilməsini əhatə edən proseslər zəncirini əhatə edir. Ümumiyyətlə, silisium karbid külçələr kimi yaradılır, daha sonra silisium karbid substratı istehsal etmək üçün dil......
Daha çox oxuYarımkeçirici materialları zaman ardıcıllığına görə üç nəslə bölmək olar. Rahat keçid ilə xarakterizə olunan germanium, silisium və digər ümumi monomaterialların birinci nəsli ümumiyyətlə inteqral sxemlərdə istifadə olunur. Qallium arsenidinin ikinci nəsli, indium fosfid və digər mürəkkəb yarımkeçir......
Daha çox oxuSilikon karbid (SiC) əla fiziki-kimyəvi xüsusiyyətlərinə görə güc elektronikası, yüksək tezlikli RF cihazları və yüksək temperatura davamlı mühitlər üçün sensorlar kimi sahələrdə mühüm tətbiqlərə malikdir. Bununla belə, SiC vafli emalı zamanı dilimləmə əməliyyatı səthdə zədələnmələrə səbəb olur, əgə......
Daha çox oxuHal-hazırda araşdırılan bir neçə material var ki, bunlar arasında silisium karbid ən perspektivlilərdən biri kimi seçilir. GaN-ə bənzər, silikonla müqayisədə daha yüksək işləmə gərginliyi, daha yüksək parçalanma gərginliyi və üstün keçiriciliyə malikdir. Üstəlik, yüksək istilik keçiriciliyi sayəsind......
Daha çox oxu