> Xəbərlər

Xəbərlər

Infineon Dünyanın İlk 300 mm Güclü GaN Waferini təqdim etdi

Bu yaxınlarda Infineon Technologies dünyanın ilk 300 mm gücündə Qallium Nitridi (GaN) vafli texnologiyasının uğurlu inkişafını elan etdi.

Daha çox oxu

Monokristal Silikon İstehsalı

Monokristal silisium istehsalında istifadə edilən üç əsas üsul Czochralski (CZ) üsulu, Kyropoulos metodu və Float Zone (FZ) üsuludur.

Daha çox oxu

Yarımkeçiricilərin emalında oksidləşmə

Oksidləşmə prosesləri vafli üzərində müxtəlif kimyəvi maddələr arasında maneə rolunu oynayan oksid təbəqəsi kimi tanınan qoruyucu təbəqə yaratmaqla bu cür problemlərin qarşısının alınmasında mühüm rol oynayır.

Daha çox oxu

Yarımkeçirici və Fotovoltaik Sektorlarda SiC Seramikasının Tətbiqləri və İnkişaf Perspektivlərinin Təhlili

Silikon karbid (SiC) mühüm yüksək səviyyəli keramika materialı kimi yüksək temperatur müqaviməti, korroziyaya davamlılıq, aşınma müqaviməti, yüksək temperaturda mexaniki dayanıqlıq və oksidləşmə müqaviməti kimi əla xüsusiyyətlərə malikdir. Bu xüsusiyyətlər onu yarımkeçiricilər, nüvə enerjisi, müdafi......

Daha çox oxu

SiC Seramik Hazırlanması üçün Təzyiqsiz Sinterləmə Niyə Seçilir?

Ultra yüksək sintez temperaturu və SiC keramikasının sıx sinterlənməsinə nail olmaq çətinliyi onların inkişafını məhdudlaşdırmışdır. Sinterləmə prosesi SiC keramika üçün çox vacibdir.

Daha çox oxu

Silikon Nitrid nədir

Silikon nitridi (Si3N4) qabaqcıl yüksək temperaturlu struktur keramikaların inkişafında əsas materialdır.

Daha çox oxu

<...3 4 5 6 7...30 >