> Xəbərlər

Xəbərlər

n-tipli 4H-SiC kristallarında elektrik müqavimətinin paylanması üzrə tədqiqat

Üçüncü nəsil yarımkeçirici material kimi 4H-SiC geniş diapazonu, yüksək istilik keçiriciliyi və əla kimyəvi və istilik sabitliyi ilə tanınır və onu yüksək güclü və yüksək tezlikli tətbiqlərdə yüksək qiymətli edir.

Daha çox oxu

Crystal Growth Fırın Sistemi nədir

Tək kristal inkişaf sobası səmərəli və yüksək keyfiyyətli kristal böyüməsini təmin etmək üçün harmoniyada işləyən altı əsas sistemdən ibarətdir.

Daha çox oxu

Monokristal Silikon İstehsalı

Monokristal silisium istehsalında istifadə edilən üç əsas üsul Czochralski (CZ) üsulu, Kyropoulos metodu və Float Zone (FZ) üsuludur.

Daha çox oxu

Yarımkeçiricilərin emalında oksidləşmə

Oksidləşmə prosesləri vafli üzərində müxtəlif kimyəvi maddələr arasında maneə rolunu oynayan oksid təbəqəsi kimi tanınan qoruyucu təbəqə yaratmaqla bu cür problemlərin qarşısının alınmasında mühüm rol oynayır.

Daha çox oxu

Yarımkeçirici və Fotovoltaik Sektorlarda SiC Seramikasının Tətbiqləri və İnkişaf Perspektivlərinin Təhlili

Silikon karbid (SiC) mühüm yüksək səviyyəli keramika materialı kimi yüksək temperatur müqaviməti, korroziyaya davamlılıq, aşınma müqaviməti, yüksək temperaturda mexaniki dayanıqlıq və oksidləşmə müqaviməti kimi əla xüsusiyyətlərə malikdir. Bu xüsusiyyətlər onu yarımkeçiricilər, nüvə enerjisi, müdafi......

Daha çox oxu

SiC Seramik Hazırlanması üçün Təzyiqsiz Sinterləmə Niyə Seçilir?

Ultra yüksək sintez temperaturu və SiC keramikasının sıx sinterlənməsinə nail olmaq çətinliyi onların inkişafını məhdudlaşdırmışdır. Sinterləmə prosesi SiC keramika üçün çox vacibdir.

Daha çox oxu

<...31 32 33 34 35...59 >