- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Sənaye Xəbərləri
GaN və SiC: Birgə yaşamaq və ya Əvəzetmə?
Daha yüksək enerji sıxlığı və səmərəliliyi üçün təkan məlumat mərkəzləri, bərpa olunan enerji, istehlakçı elektronikası, elektrik nəqliyyat vasitələri və avtonom idarəetmə texnologiyaları da daxil olmaqla bir çox sənayedə innovasiyaların əsas sürücüsünə çevrildi. Geniş diapazonlu (WBG) materialları ......
Daha çox oxu
Termal sahə nədir?
Tək kristal artımı sahəsində kristal böyümə sobası daxilində temperaturun paylanması mühüm rol oynayır. Adətən termal sahə adlandırılan bu temperatur paylanması yetişdirilən kristalın keyfiyyətinə və xüsusiyyətlərinə təsir edən mühüm amildir. İstilik sahəsini iki növə bölmək olar: statik və dinamik.
Daha çox oxu
İzostatik Qrafit İstehsal Texnologiyası
İzostatik presləmə texnologiyası izostatik qrafitin istehsalında kritik bir prosesdir və son məhsulun performansını əsasən müəyyən edir. Beləliklə, izostatik qrafit istehsalının hərtərəfli tədqiqi və optimallaşdırılması sənayedə vacib mərkəzlər olaraq qalır.
Daha çox oxu
Karbon əsaslı material səthlərində TaC örtüklərinin tədqiqat tərəqqisi
Qrafit, karbon lifləri və karbon/karbon (C/C) kompozitləri kimi karbon əsaslı materiallar yüksək spesifik gücü, yüksək spesifik modulu və əla istilik xassələri ilə tanınır və onları yüksək temperaturda geniş tətbiqlər üçün uyğun edir. . Bu materiallar aerokosmik, kimya mühəndisliyi və enerji saxlama......
Daha çox oxu
Gallium Nitride (GaN) Substratın hansı tətbiqləri?
Qallium Nitridi (GaN) müstəsna elektron və optik xüsusiyyətləri ilə tanınan yarımkeçirici texnologiyasında mühüm materialdır. GaN, geniş diapazonlu yarımkeçirici olaraq, təxminən 3,4 eV bant enerjisinə malikdir və onu yüksək güclü və yüksək tezlikli tətbiqlər üçün ideal edir.
Daha çox oxu
Silikon Karbid Kristal Artırma Ocaqlarında Texniki Problemlər
Silikon karbid (SiC) kristal inkişaf sobaları SiC vafli istehsalının təməl daşıdır. Ənənəvi silisium kristal inkişaf sobaları ilə oxşarlıqları bölüşərkən, SiC sobaları materialın həddindən artıq böyümə şərtləri və mürəkkəb qüsur əmələ gəlməsi mexanizmləri səbəbindən unikal problemlərlə üzləşirlər. B......
Daha çox oxu
