> Xəbərlər > Sənaye Xəbərləri

Sənaye Xəbərləri

İon implantasiyası və diffuziya prosesi

İon implantasiyası yarımkeçirici dopinq üsuludur və yarımkeçiricilərin istehsalında əsas proseslərdən biridir.

SiC və GaN Güc Cihazlarında İon İmplantasiyası Texnologiyasının Çətinlikləri

Silikon Karbid (SiC) və Qallium Nitridi (GaN) kimi geniş diapazonlu (WBG) yarımkeçiricilərin güc elektron cihazlarında getdikcə daha mühüm rol oynaması gözlənilir. Onlar ənənəvi Silikon (Si) cihazları ilə müqayisədə daha yüksək səmərəlilik, güc sıxlığı və keçid tezliyi daxil olmaqla bir sıra üstünlü......

Daha çox oxu

Yarımkeçiricilərin istehsalında kvarsın müxtəlif tətbiqləri

İlk baxışdan kvars (SiO2) materialı şüşəyə çox bənzəyir, lakin özəl olan odur ki, adi şüşə bir çox komponentdən (kvars qumu, borax, bor turşusu, barit, barium karbonat, əhəngdaşı, feldispat, soda külü kimi) ibarətdir. və s.), kvars yalnız SiO2 ehtiva edir və onun mikro strukturu silikon dioksid tetr......

Daha çox oxu

Tam Yarımkeçirici Cihaz İstehsal prosesini başa düşmək

Yarımkeçirici cihazların istehsalı əsasən dörd növ prosesi əhatə edir: (1) Fotolitoqrafiya (2) Dopinq üsulları (3) Filmin yerləşdirilməsi (4) Ovlama üsulları İştirak edilən xüsusi üsullara fotolitoqrafiya, ion implantasiyası, sürətli termal emal (RTP), plazma ilə gücləndirilmiş kimyəvi buxar ç......

Daha çox oxu

SiC substratlarının hazırlanmasında çətinlik

Hazırda substratın inkişafının ən vacib istiqaməti diametrini genişləndirməkdir. Qlobal SiC bazarında 6 düymlük kütləvi istehsal xətti yetişməkdədir və aparıcı şirkətlər 8 düymlük bazara daxil olublar.

Daha çox oxu

Silikon karbid substratı

Silikon karbid substratı prosesi mürəkkəbdir və istehsalı çətindir. SiC substratı sənaye zəncirinin əsas dəyərini tutur, 47% təşkil edir. Gələcəkdə istehsal gücünün genişlənməsi və məhsuldarlığın yaxşılaşması ilə bunun 30%-ə düşəcəyi gözlənilir.

Daha çox oxu

<...8 9 10 11 12...22 >