- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Sənaye Xəbərləri
İlkin Artım Fazasında Temperatur Qradientinə Nəzarət Yolu ilə Yüksək Keyfiyyətli SiC Kristal Artımına nail olmaq
Silikon karbid (SiC) yüksək gərginlikli və yüksək temperatur tətbiqlərində müstəsna performansına görə son illərdə əhəmiyyətli diqqəti cəlb edən geniş diapazonlu yarımkeçirici materialdır. Bu tədqiqat sistematik olaraq dəyişdirilmiş proses şəraitindən istifadə edərək yetişdirilən SiC kristallarının ......
Daha çox oxu
n-tipli 4H-SiC kristallarında elektrik müqavimətinin paylanması üzrə tədqiqat
Üçüncü nəsil yarımkeçirici material kimi 4H-SiC geniş diapazonu, yüksək istilik keçiriciliyi və əla kimyəvi və istilik sabitliyi ilə tanınır və onu yüksək güclü və yüksək tezlikli tətbiqlərdə yüksək qiymətli edir.
Daha çox oxu
