> Xəbərlər

Xəbərlər

SiC substratının emalının əsas mərhələləri

4H-SiC substratının emalı əsasən aşağıdakı addımları əhatə edir:

Silikon Karbid (SiC) Substratlarının Əsas Parametrləri

Silikon Karbid (SiC) istehsal prosesi material tərəfdən substratın və epitaksiyanın hazırlanmasını, ardınca çip dizaynı və istehsalı, cihazın qablaşdırılması və nəhayət, aşağı axın tətbiqi bazarlarına paylanmasını əhatə edir. Bu mərhələlər arasında substrat materialının emalı SiC sənayesinin ən çəti......

Daha çox oxu

Silikon Karbid (SiC) Kristal Artırma Ocağı

Kristal böyüməsi Silikon Karbid substratlarının istehsalında əsas əlaqədir və əsas avadanlıq kristal böyümə sobasıdır. Ənənəvi kristal silisium dərəcəli kristal böyümə sobalarına bənzər, soba strukturu çox mürəkkəb deyil və əsasən soba gövdəsi, istilik sistemi, rulon ötürmə mexanizmi, vakuum əldə et......

Daha çox oxu

TaC ilə örtülmüş qrafit komponentlərinin tətbiqi və inkişafı problemləri

Qallium Nitridi (GaN) və Silikon Karbid (SiC) kimi üçüncü nəsil geniş diapazonlu yarımkeçirici materiallar müstəsna optoelektronik çevrilmə və mikrodalğalı siqnal ötürmə imkanları ilə məşhurdur. Bu materiallar yüksək tezlikli, yüksək temperatura, yüksək gücə və radiasiyaya davamlı elektron cihazları......

Daha çox oxu

Silikon karbid tətbiqləri

Silikon karbid inkişaf etməkdə olan sənayelərdə və ənənəvi sənayelərdə çox sayda tətbiqə malikdir. Hazırda qlobal yarımkeçirici bazarı 100 milyard yuanı ötüb. 2025-ci ilə qədər yarımkeçirici istehsal materiallarının qlobal satışının 39,5 milyard ABŞ dollarına çatacağı gözlənilir ki, bunun da 2025-ci......

Daha çox oxu

SiC Boat nədir və onun müxtəlif istehsal prosesləri hansılardır?

Silikon karbid qayıq üçün qısaldılmış SiC qayığı, yüksək temperaturda emal zamanı vafliləri daşımaq üçün soba borularında istifadə olunan yüksək temperatura davamlı aksesuardır. Silikon karbidin yüksək temperaturlara qarşı müqavimət, kimyəvi korroziya və əla istilik sabitliyi kimi görkəmli xüsusiyyə......

Daha çox oxu

<...13 14 15 16 17...30 >